普克爾盒也叫普克爾斯盒，是一種由電光晶體（附有一些電極）組成的裝置，光束可以通過它傳播。晶體中的相位延遲（→ 普克爾斯效應(yīng)）可以通過施加可變電壓來調(diào)制。因此，普克爾盒充當(dāng)電壓控制波片。普克爾盒是電光調(diào)制器的基本組件，例如用于調(diào)Q激光器。它的原理就是克爾電光效應(yīng)，即放在電場中的晶體，由于其分子受到電力的作用而發(fā)生取向（偏轉(zhuǎn)），呈現(xiàn)各向異性，結(jié)果產(chǎn)生雙折射，即沿兩個不同方向物質(zhì)對光的折射能力有所不同。普克爾盒一般用來做電光調(diào)制器，電光調(diào)制器是一套系統(tǒng)，需要普克爾盒加上驅(qū)動電源，根據(jù)參數(shù)需求不同可選擇不同的調(diào)制類型和調(diào)制頻率。一般對光有3種調(diào)制：強度調(diào)制，偏振態(tài)調(diào)制和相位調(diào)制。

幾何形狀和材料

關(guān)于外加電場的方向，普克爾盒可以有兩種不同的幾何形狀：

縱向器件具有沿光束方向的電場，光束穿過電極中的孔。大光圈很容易實現(xiàn)，因為所需的驅(qū)動電壓基本上與光圈無關(guān)。電極可以是金屬環(huán)（左）或帶有金屬觸點的端面（右）透明層。G&H公司在其KDP/KD*P普克爾盒（QX、CQX、IMPACT和TX系列）的產(chǎn)品中使用了這種設(shè)計。

橫向裝置具有垂直于光束的電場。該場通過晶體側(cè)面的電極施加。對于小孔徑，它們可以具有較低的開關(guān)電壓。G&H公司的LiNbO3、BBO和CdTe普克爾盒（Chiron和IRX系列）采用這種設(shè)計。

普克爾盒常見的非線性晶體材料有磷酸二氘鉀（KD*P =DKDP）、磷酸氧鈦鉀（KTP）、β-硼酸鋇（BBO）（后者用于更高的平均功率和/或更高的開關(guān)頻率），鈮酸鋰（LiNbO3）、鉭酸鋰（LiTaO3）和磷酸二氫銨（NH4H2PO4，ADP）。

半波電壓

普克爾盒的一個重要特性是半波電壓Uπ（也稱為Uλ/2或Vλ/2）。這是引起π相變所需的電壓，相當(dāng)于半個光波長。在調(diào)幅器中，施加的電壓必須改變這個值，以便從傳輸最小的操作點到傳輸最大的操作點。具有橫向電場的普克爾盒的半波電壓取決于晶體材料、電極間距和施加電場的區(qū)域的長度。對于更大的開孔，電極間距需要更大，因此電壓也需要更大。對于具有縱向電場的普克爾盒，晶體長度無關(guān)緊要，因為例如較短的長度也會增加給定電壓的電場強度。在不增加半波電壓的情況下可以實現(xiàn)更大的孔徑。典型的普克爾盒具有數(shù)百甚至數(shù)千伏的半波電壓，因此大調(diào)制深度需要高壓放大器。對于高度非線性晶體材料（如LiNbO3）和具有小電極間距的集成光調(diào)制器，相對較小的半波電壓是可能的，但此類器件的功率處理能力有限。

調(diào)制帶寬

普克爾盒可能的調(diào)制帶寬可能非常高——許多兆赫，甚至可能是數(shù)千兆赫。它基本上僅受可以修改電光晶體中電場強度的速度的限制。因此，它基本上受到所使用的普克爾盒驅(qū)動器電子設(shè)備的限制，并且可能受到驅(qū)動器和普克爾盒之間的電纜連接的限制。然而，具有高電容的普克爾盒使驅(qū)動器更難以實現(xiàn)高帶寬。因此，使用具有低介電敏感性εr的晶體材料是有益的。此外，所選擇的電極幾何形狀可以發(fā)揮作用，并且這也可能受到例如關(guān)于開孔的要求的影響。

普克爾盒，電光Q開關(guān)種類（如有需要請聯(lián)系我們）
Chiron普克爾盒	Impact普克爾盒	QX普克爾盒	QX1014A普克爾盒
IRX系列普克爾盒	TX普克爾盒	Centaur普克爾斯盒	Pegasus普克爾斯盒
7100鈮酸鋰調(diào)Q開關(guān)